神经创伤学新进展2014
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071.重新认识创伤性脑损伤后脑挫伤灶周围半暗带:根据正电子发射X线断层扫描探索脑代谢紊乱加重的证据

Wu HM,et al. J Neurotrauma,2013,30(5):352-360
创伤性脑损伤(TBI)后挫伤灶周围半暗带的病生理变化一直被认为是由于缺血所致。应用F-18氟脱氧葡萄糖(FDG)和3-氧正电子发射X线断层扫描(PET)检查可以对挫伤灶周围半暗带的氧摄取分数(OEF)增加、无氧代谢和脑组织活力程度进行评估。本研究者对8例TBI病人进行急性期(≤4 days)的CT、MRI、PET扫描研究,应用半自动方法对于包括挫伤中心区、挫伤灶周围高密度灰质(GM)、挫伤灶周围正常表现GM和远离挫伤灶周围正常表现GM的四个有意义区域(ROI)进行定义,对于脑血流(CBF)与OEF、脑氧代谢率(CMRO 2)、脑葡萄糖代谢率(CMRglc)进行检测,对于上述每个区域在无氧代谢条件下的氧-葡萄糖比率(OGR)进行评估。结果显示挫伤灶周围脑组织随着与挫伤灶的接近,其中OEF、CBF、CMRO 2、CMRglc呈现出进行性减低趋势。总之,挫伤灶周围高密度GM的CBF与CMRO 2比率是存在的,但挫伤灶周围高密度GM区OGR降低(< 4.0)并且与伤后时间成反比(r = −0.68),挫伤灶周围高密度GM区CMRO 2值低于每分钟35μmol/100g的更大范围比例(≥22%~76%)将随伤后时间而增加。

(张赛)