模拟电子系统设计指南(基础篇):从半导体、分立元件到TI集成电路的分析与实现
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2.1.4 费米函数

费米函数听起来很抽象,下面打个比方,某小学有一个班级,人数为40人,班上可以提供50个座位。老师根据学生的身高分配座位,常用的规则就是较高的同学坐在后面,而较低的学生坐在前面。当给所有的学生分配完座位后,还有10个空闲的座位。

电子在原子内的分布情况和分布规则,与上面这个例子相似。电子的能级好像是例子中的座位,而电子的能量好像是例子中学生的身高。能量较高的电子,就好像是身高较高的学生,将占据高位的能级,类似于例子中后面的座位,并使得低位能的能级留下空缺,即空位。材料的导电性和位于导带的导电电子的密度 (数量) 有关。为了了解这一点,我们需要了解电子的量子分布状态 (如例子中的座位分配),以及电子的能量分布 (即学生的身高分布) 后,才能知道有多少自由电子位于导带内,即有多少较高的学生能坐在后座。在材料学中,通常将前者 (即电子的量子分布状态) 称为状态密度;后者 (即电子的能量分布) 称为费米函数。费米函数表示为:

式中,E F为费米能级;T为开氏温度,单位K;k为波尔兹曼常数,k=8.617×10 -5 eV/K。

当温度接近绝对零度,即T≈0K时,当E>EF时,f(E)→∞;当E<EF时,f(E)→1。即在费米能级处锐截止;能量低于EF的所有能量状态将被充满,而能量高于EF的所有能量是空的,如图2.4 (a) 所示。

当系统温度超过0K时,即T>0K时,上式指数项有一个极限值,并且函数从填充态到空状态有一个过渡。当E>EF时,f(E)随着能量增加呈指数衰减为零,价带能级上Ev≈E=EF +3kT上的大多数能态是空的;当E<EF时,f(E) 随着能量降低呈指数增加,f(E) →1,导电能级Ev≈E=EF-3kT上的大多数能态将被填充。f(E)和1-f(E)的关系如图2.4 (b) 所示。

如果f(E)为电子占领给定能态E的概率,则给定能态为空的概率为1—f(E)。因此,在导带边缘 (Ec) 的能态被填充的概率与在价带边缘 (EV) 的能态为空的概率相等,即:

图2.4 费米函数的能量关系

代入式 (2.2),得到费米能级表示为:

即位于能带的中间。