4.5 半导体材料制备
4.5.1 硅、锗材料制备废气治理应符合下列要求：
1 氯化氢合成和三氯氢硅合成、提纯过程产生的含氯化氢的废气，应设置淋洗塔净化。
2 原料储罐进、出料过程产生的含氯硅烷的废气，应设置淋洗塔净化。
3 三氯氢硅还原尾气宜采用干法回收技术回收氢气、氯化氢、氯硅烷，并应返回相应的工艺系统。
4 硅芯、硅片、锗锭腐蚀过程产生的含氟化氢、氮氧化物的废气，应设置碱液淋洗塔净化。
5 硅粉仓、锗精矿仓产生的粉尘应设置高效布袋除尘系统回收。
6 氧化锗制备过程产生的尾气中含有氯化氢、氯气，应设置碱液淋洗装置净化。
7 单晶硅、单晶锗酸洗过程产生的含氟化氢、氮氧化物的废气，应设置碱液淋洗装置净化。
本条对硅、锗材料制备废气治理作出要求。
3 高纯三氯氢硅还原尾气中，主要含有氢气、氯化氢和氯硅烷。还原尾气干法回收技术是利用还原尾气中各种组分物理性能（露点、沸点）上的差异，通过加压冷凝、吸收—脱吸、活性炭吸附等物理手段，把尾气中的氢气、氯化氢、三氯氢硅、二氯二氢硅、四氯化硅逐一分开，分别返回主工艺中，四氯化硅通过氯化转变成的三氯氢硅，也返回系统使用。由于还原尾气干法回收系统完全密闭，不外排尾气，分离回收的上述副产物全部返回工艺系统使用，从而达到了回收副产物、变废为用的目的。本规范推荐采用还原尾气干法回收技术。
5 硅粉仓、锗精矿仓进、出料产生的粉尘，应设计高效布袋除尘器净化，回收的尘粉即硅粉、锗精矿粉，应返回原料制备车间。
6 氧化锗制备过程产生的尾气中含有氯化氢、氯气，应设计氢氧化钠碱液一级淋洗净化。还原锗锭、区熔锗锭腐蚀过程产生含氟化氢、氮氧化物的废气，应设计氢氧化钠碱液两级淋洗，才能使氟化物、氮氧化物达标排放。
7 单晶硅、单晶锗酸洗过程产生含氟化氢、氮氧化物的废气，也应设置碱液淋洗装置净化。
4.5.2 合成砷化镓工序必须设置事故排放的含砷废气处理设施。
合成砷化镓时发生石英管爆裂的概率很低，持续时间也很短（最长 5min），这种事故发生的时间一般在合成炉升温的前30min和降温的后30min。由于炉内温度高于400℃，砷会迅速挥发产生三氧化二砷剧毒气体，因此必须设置事故排放的含砷废气处理设施，妥善处理事故排放的含砷废气。三氧化二砷气体是剧毒气体，因此将本条设为强制性条文，必须严格执行。