2.6　本章小结

作为3D封装的关键技术和典型应用，TSV技术已日臻成熟。本章给出了TSV定义、基本结构和三种工艺流程。对于TSV堆叠的技术方案，本章重点介绍了Via-middle技术和Via-last技术，并对比了两种技术的异同点和典型的应用领域。在Via-middle技术中，利用TSV中介层的2.5D集成方案已经在多款高端FPGA、GPU、CPU产品中得到应用，预埋TSV的工艺应用于HMC和HBM产品。Via-last技术集成方案中，目前产业界量产的主要是从圆片背面加工TSV，与正面焊盘直接形成电互连通道，典型产品应用是CMOS图像传感器。无论是Via-middle技术还是Via-last技术，TSV都向微米直径和高深宽比方向发展，以满足芯片高密度封装和集成的需要。最后，本章给出了其他几种针对特殊应用的TSV集成技术路线：一个是使用TSV穿透键合层的三层堆叠图像传感器方案；另一个是双面刻蚀X形TSV和双面电镀技术方案。未来，TSV集成的方案将更加丰富和灵活。