3.4　共　晶　焊

3.4.1　共晶焊工艺应适用于要求散热好的大功率电路芯片或基片、要求接触电阻小的高频电路芯片，以及要求湿气含量非常低的混合电路的贴装或封帽。

3.4.2　共晶焊的主要工序应符合下列规定：

1　共晶焊前，应对基板和载体进行清洗并烘干；

2　应选择共晶焊料和焊接母体表面粗糙度；

3　应将裁剪好的合金预制焊片置于基板（外壳）底座上，将待安装的各元器件（基板）准确放置在对应的焊片上，通过温度、时间、气氛要求完成共晶；

4　采用含金的合金焊料时，芯片背面应淀积金层；采用以锡、铟为主要成分的低共熔温度软合金焊料时，芯片背面应淀积镍、银层或镍金层；

5　当共晶焊料中含有助焊剂时，焊接后的器件应清洗去除焊料、焊剂的残渣；

6　焊接完成后，应无损检测芯片、基板外观和焊接的空洞率。

3.4.3　共晶焊的工艺运行条件应符合下列规定：

1　共晶焊工艺宜在等于或优于8级净化区中完成；

2　共晶焊应在氮气或氮氢混合气体的保护气氛中进行；

3　当共晶焊与环氧贴装用于同一电路时，应先完成操作温度高的共晶焊再进行环氧贴装；

4　手动共晶焊工艺可使用压缩空气；

5　多个工序采用共晶焊工艺时，前道工序选用焊料的共晶温度应高于后道工序。