晶体生长的物理基础
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二、温度边界层

熔体中是存在自然对流和强迫对流的,而对流对热传输的贡献又较大,因而关于熔体中温场的分析是比较复杂的,这个问题我们将在第三章讨论。这里为了导出直径响应方程,我们先引入温度边界层(temperature boundary layer)的概念。

在直拉法生长中,固液界面的温度恒为凝固点Tm,熔体的平均温度Tb高于Tm,即TbTm。我们假定在固液界面邻近,在一定深度δT之下,熔体的温度恒为平均温度Tb。而在此深度δT之内,温度是逐渐降低到界面温度Tm的,如图1-16所示,这个深度δT就称为温度边界层的厚度。温度边界层厚度δT决定于流体搅拌的程度,即决定于自然对流和强迫对流。通常直拉法生长中晶体旋转产生强迫对流,若晶体旋转速率为ω,可以证明边界层厚度δT与转速ω间有(参阅第三章中式(3-85)和(3-87))

图1-16 温度边界层

可知,晶体转速愈快,温度边界层愈薄。

在引入温度边界层的概念后,在固液界面处熔体中的轴向温度梯度就可近似地表示为