霍乱弧菌的营养要求简单，在普通培养基上生长良好，属兼性厌氧菌，生长温度为16～42℃，培养温度以37℃适宜。钠离子可刺激生长，但在高于8%NaCl环境中不生长。可繁殖的酸碱度（pH）为6．0～9．2，适宜的pH为7．2～7．4。因此，用于初分离的选择性培养基和增菌培养基的pH选择8．4～8．6（也有使用pH 9．2的培养基），以抑制其他细菌生长。O1／O139群霍乱弧菌是繁殖速度最快的细菌之一，在碱性蛋白胨水（APW）中生长迅速，在培养的最初数小时其生长可超过大肠杆菌，特别是O1群埃尔托型霍乱弧菌培养2～3小时后，有些就可在培养液体表面开始形成菌膜（见图2，文后彩插）。常利用这种生长速度快和好氧性，在培养6～8小时后，取液体上层生长物作弧菌分离。

为提高检出率，一般使用选择性培养基进行分离培养。霍乱弧菌的选择性分离培养基有强、弱之分：强选择性的分离培养基主要包括硫代硫酸盐柠檬酸盐胆盐蔗糖（TCBS）琼脂、庆大霉素琼脂、4号琼脂等；弱选择性分离培养基主要是碱性琼脂、碱性胆盐琼脂。