1.3 FinFET

除了平面FD-SOI MOSFET，准平面（以及全耗尽）FinFET也是未来纳米级CMOS器件的主要发展方向。相比于FD-SOI MOSFET早在20世纪80年代就开始发展，FinFET结构直到1991年才被提出，并且又经过了十年时间，由于其独特的非平面结构，才逐渐得到了学术界和工业界的关注。随着英特尔公司在2012年宣布从22nm节点开始，FinFET将成为他们发展的基本CMOS器件，Fin FET才得以进入高速发展阶段。FinFET采用两个或者三个有效栅极的结构，而且体的厚度要大于FD-SOI（大约是2倍），因而能够更有效地控制短沟道效应。独特的准平面结构也使其可以在特殊的工艺过程中进行折中设计。