1.2.1 GD32 MCU发展历程
GD32 MCU的发展历程大致可以分为以下3个阶段。
1.开始阶段
如图1-1所示，从2013年推出GD32F103系列MCU开始到2016年，GigaDevice公司不断丰富基于M3内核的产品线，并陆续推出GD32F10×、GD32F1×0及GD32F20×系列产品，从而使M3内核产品形成平台化。
2013年GigaDevice公司推出第一款以M3为内核的主流系列产品GD32F10×。该系列产品的最高主频为108MHz，最大Flash容量为3MB，最大SRAM容量为96KB，具有丰富的片内外设资源，其中定时器模块多达18个，通信模块包括多路USART/UART串口、SPI、IIC接口、USB接口、SDIO接口以及以太网接口，模拟模块包括多路ADC和DAC，具有EXMC接口，可支持外扩SRAM、NOR Flash以及NAND Flash等存储器并可驱动8080接口液晶屏。相较于市场同类产品，GD32F10×系列具有更高的主频、更大的Flash容量，并由于具有gFlash专利技术，在同主频下具有更高的代码执行效率。GD32F10×系列推向市场后得到了广大客户的欢迎。
2014年GigaDevice公司推出工作电压为3.3V以M3为内核的超值系列产品GD32F130/150。该系列产品的最高主频为72MHz，最大Flash容量为64KB，最大SRAM容量为8KB。相较于GD32F10×系列MCU，该系列产品具有更低的成本和功耗，可满足低成本的应用需求。
图1-1 GD32 M3内核MCU产品发展时间线
2015年GigaDevice公司推出以M3为内核的高性能系列产品G32F20×。该系列产品的最高主频为120MHz，最大Flash容量为3MB，最大SRAM容量为256KB，可以覆盖GD32F10×系列的外设资源配置，并可向下软硬件兼容GD32F10×系列。除集成了GD32F10×系列片内外设外，GD32F20×系列片内还集成了CRC（循环冗余校验）计算单元、TRNG（真随机数生成器）、CAU（加密处理器）以及HAU（哈希处理器）模块，这让它具有更高的安全性能。GD32F20×还集成了摄像头接口及TLI接口（TFT_LCD接口），这让它可支持外扩摄像头及TFT液晶屏。
2016年1月GigaDevice公司推出工作电压为5V以M3为内核超值系列产品GD32F170/190。该系列最高主频为72MHz，最大Flash容量为64KB，最大SRAM容量为8KB，可兼容GD32F130/150系列。除集成了GD32F130/150系列片内外设外，GD32F170/190系列片内还集成了SLCD段码液晶驱动模块、OPA（运算放大器）、CAN（内置CAN PHY）及TSI（电容触摸）模块等，让它可满足家电、工业等领域的部分5V供电的需求。
2.成长阶段
如图1-2所示，自2016年9月（推出第一款基于M4内核的GD32F450系列MCU）至2017年，GigaDevice公司基于新的产品工艺以及M4内核，迅速推出M4系列产品并向下兼容M3系列产品。
2016年年底至2017年年初，GigaDevice公司推出以M4为内核的高性能产品GD32F4××。该系列产品的最高主频为200MHz，最大Flash容量为3MB，最大SRAM容量为512KB，具有非常丰富的片内外设资源，并可支持BGA176引脚封装，可满足高性能的应用需求。
2017年3月GigaDevice公司推出以M4为内核的主流型产品GD32F30×。该系列产品的最高主频为120MHz，最大Flash容量为3MB，最大SRAM容量为96KB，可向下兼容GD32F10×系列产品。相较于GD32F10×系列，GD32F30×系列产品具有更高的主频以及更优异的内核性能。
2017年5月GigaDevice公司推出以M4为内核的超值系列产品GD32F3×0。该系列产品的最高主频为108MHz，最大Flash容量为128KB，最大SRAM容量为16KB，可向下兼容GD32F1×0系列产品，相较于GD32F1×0系列，GD32F3×0系列产品具有更高的主频、更丰富的外设资源（新增OTG模块、TSI模块、2路比较器）以及更优异的内核性能。
3.全面发展阶段
自2017年下半年至本书完稿时，GD32 MCU进入全面发展阶段。
（1） 引入嵌入式eFlash技术，先后推出GD32E103、GD32C103、GD32E230、GD32E50×等不同系列的MCU，这些产品具有更宽的工作电压、更低的产品功耗、更短的Flash擦写时间等特性，可满足更高性能、更低功耗的应用需求。
图1-2 GD32 M4内核MCU产品时间线
（2）针对光模块应用市场，推出GD32E232、GD32E501光模块系列产品；针对行业应用需求，集成更小封装产品（支持QFN24、QFN32、BGA64）以及相关外设，提供IIC BOOT、CLA（可编程逻辑阵列）、8路DAC、MDIO接口以及IO复位保持等功能。
（3）针对低功耗应用市场，推出GD32L233超低功耗系列产品。该系列产品的最高主频为64MHz，集成了64～256KB的嵌入式eFlash和16～32KB的SRAM，深度睡眠功耗降至2μA[1]，唤醒时间低于10μs，待机功耗仅为0.4μA，深度睡眠模式下可支持LPtimer、LPUART、RTC、LCD、IIC等多个外设唤醒，具有多种运行模式和休眠模式，提供了优异的功耗效率和优化的处理性能。
（4）针对无线通信应用市场，推出GD32W515 Wi-Fi无线通信系列产品SoC，集成2.4GHz单流IEEE802.11b/g/n MAC/Baseband/RF射频模块。该系列MCU集成TrustZone硬件安全机制，最高主频为180MHz，配备了高达2MB的片上Flash和448KB的SRAM，与各厂商无线路由器具有极佳的兼容性，可以快速建立连接并完成通信。
（5）针对汽车应用市场，推出GD32A503系列车规级MCU，采用先进的车规级工艺平台以及生产标准，符合车用高可靠性和稳定性要求，可用于车身控制、辅助驾驶及智能座舱等多种电气化车用场景。
（6）推出全球首款基于RISC-V内核的GD32VF103系列MCU，提供从芯片到程序代码库、开发套件、设计方案等的完整工具链支持。
（7）围绕GD32 MCU，推出信号链相关的周边模拟产品GD30系列，包括电源管理单元、电机驱动IC、高性能电源IC以及锂电管理IC。这个系列的产品丰富了GD32 MCU“百货商店”类产品，可为客户提供更多的产品解决方案。
（8）预计后续GigaDevice会不断推出新的MCU产品并继续丰富现有产品线，以满足更多应用场景下的MCU应用需求。