模拟电子系统设计指南(基础篇):从半导体、分立元件到TI集成电路的分析与实现
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2.2.4 空间耗尽区宽度

总的耗尽区或空间电荷区的宽度W可表示为:

从式中可知,空间电荷区宽度W取决于总的掺杂浓度Na和Nd

最大场强εmax与掺杂浓度Na和Nd之间的关系表示为:

更进一步讲,与W的关系表示为: