1.3.1 半导体二极管的伏安特性曲线

与PN结相同，二极管具有单向导电性。但由于二极管存在引线电阻、P区和N区体电阻，所以在外加正向电压相同的情况下，二极管的正向电流要小于PN结的电流；在大电流的情况下，P区、N区体电阻和引线电阻的作用趋于明显，使得电流和电压近似呈线性关系。另外，由于表面漏电流的影响，当外加反向电压时，反向电流增大。图1.3.2为实测的二极管伏安特性曲线。在近似计算时，二极管仍然采用PN结电流方程，即式（1.2.1）。

图1.3.2 二极管的伏安特性曲线

由图1.3.2可知，当正向电压较小时，流过二极管的正向电流几乎为零。正向电压超过某一数值时，正向电流才明显增加。这一电压称为死区电压。死区电压的大小与二极管的材料及温度等因素有关。室温下，硅管的死区电压为0.5V左右，锗管的死区电压为0.1V左右。当正向电压超过死区电压以后，随着电压的升高，正向电流迅速增大。硅二极管正常工作的电压为0.6～0.8V，锗二极管正常工作的电压为0.2～0.3V。

当反向电压增大到足够大时，二极管也会被击穿，不同型号二极管的击穿电压差别很大，从几十伏到几千伏。温度对二极管特性的影响，也与PN结相同。