2.6 长真空间隙击穿模型

现有的研究结果表明，真空间隙范围不同，真空击穿机理也会有所不同。触头间隙距离d≤0.5mm时，真空间隙的击穿起因以场致发射为主，与真空间隙电场强度紧密相关；当真空间隙d≥2mm时，真空间隙的击穿则主要由微粒引发。

现有真空击穿理论是针对简单平板模型的，实际输电等级真空灭弧室中的击穿现象要复杂得多。在以往关于真空击穿的研究中，大多是击穿现象的定性描述，针对输电等级真空灭弧室击穿机理的定量研究十分缺乏。为了对输电等级空灭弧室的击穿理论进行深入和定量研究，本节针对冲击电压作用下不同电场分布的输电等级真空灭弧室击穿过程，提出了一种基于微粒击穿理论的高电压等级真空灭弧室的击穿理论模型。