电路采用≥5μm设计规则，使用HV N-Well CMOS制造技术。该电路典型元器件、制造技术及主要参数如表2-8所示。它以N-Well CMOS（A）制程及所制得的各种元器件为基础，并对其芯片结构和制造工艺进行改变，最终在硅衬底上形成HV CMOS芯片中的各种元器件，并使之互连，实现所设计电路。如果制程完成后所得到的各种参数都达到规范值，则芯片性能达到设计指标。
表2-8 工艺技术和芯片中主要元器件
（续表）
*表中各参数符号与前面各表相同。
