2.5.1 芯片平面/剖面结构

应用芯片结构技术（参见附录B-[21]），使用计算机和相应的软件，可以得到N-Well CMOS（A）芯片典型平面/剖面结构。首先在电路中找出各种典型元器件：RsN+Poly/RsN+和N+/P-Sub、P+/N-Well（电阻/二极管组成的输入端栅保护结构）、NMOS及PMOS。然后进行平面/剖面结构设计，选取平面/剖面结构各层统一适当的尺寸和不同的标识，表示制程中各工艺完成后的层次，设计得到可以互相拼接得很好的各元器件结构（或在元器件结构库中选取），分别如图2-9中的、、所示（不要把它们看作连接在一起）。最后把各元器件结构按照一定方式排列并拼接起来，构成芯片剖面结构，图2-9（a）为其示意图，而对应的平面/剖面结构示意图如图2-10所示。以该结构为基础，消去输入端栅保护结构，引入耗尽型NMOS和N-Well电阻，得到如图2-9（b）所示的另一种结构。如果引入不同于图2-9中的单个或多个元器件结构，或消去其中单个或多个元器件结构，或对其中元器件结构进行改变，则可得到多种不同的结构。选用其中与设计电路相联系的一种结构。下面仅对图2-9（a）所示结构进行说明。

图2-9 N-Well CMOS（A）电路芯片剖面结构示意图（参阅附录B-[2]）

图2-10 N-Well CMOS（A）制程剖面结构示意图（参阅附录B-[2，3，6]）

图2-10 N-Well CMOS（A）制程剖面结构示意图（参阅附录B-[2，3，6]）（续）

图2-10 N-Well CMOS（A）制程剖面结构示意图（参阅附录B-[2，3，6]）（续）