2.3.1 芯片剖面结构

应用芯片结构技术（参见附录B-[21]），可以得到P-Well CMOS（C）芯片典型剖面结构。在电路中找出各种典型元器件：NMOS、PMOS、Poly电阻、Cf场区电容及耗尽型NMOS，进行剖面结构设计，分别如图2-5中的、、、、所示（不要把它们看作连接在一起），由它们组成P-Well CMOS（C）芯片剖面结构，图2-5（a）为其示意图。以该结构为基础，消去耗尽型NMOS，引入P-Well电阻和Cs衬底电容，得到如图2-5（b）所示的另一种结构。如果引入不同于图2-5中的单个或多个元器件结构，或消去其中单个或多个元器件结构，或对其中元器件结构进行改变，则可得到多种不同的结构。选用其中与设计电路相联系的一种结构。下面仅对图2-5（a）所示结构进行说明。

图2-5 P-Well CMOS（C）电路芯片剖面结构示意图（参阅附录B-[2]）