1.5.2 金属化系统

随着MOS结构的微细化，在防止硅由接触区向铝电极扩散及铝向硅衬底扩散形成楔状尖峰的同时，还必须降低接触电阻。因此采用多晶硅中间层或Ti、TiN、TiW、W等作为硅的扩散阻挡层，并采用耐高温循环退火的高熔点金属硅化物（TiSi₂、CoSi₂、WSi₂、PtSi、MoSi₂）作为接触金属，以获得比铝合金更低的接触电阻。

图1-12所示为接触电极的扩散阻挡层示例。在层间绝缘膜上开好接触孔后，淀积扩散阻挡层金属（TiN/Ti）。作为高熔点金属硅化物电极的实例，图1-13是采用TiSi₂的自对准硅化物工艺示意图。在形成源、漏以后，淀积 Ti层，并在 N₂中退火形成硅化物，再选择腐蚀掉残留的Ti层，最后形成硅化物电极结构。

图1-12 接触电极的扩散阻挡层示例

图1-13 自对准硅化物（参阅附录B-[2]）