2.7　几何参数对片上螺旋电感的影响

图2.51给出了片上螺旋电感平面和立体结构示意图。金属线圈的线宽为w、间距为s、内径为Rin、厚度为t。电感的衬底为厚度为tsub的硅衬底，其介电常数和电阻率分别为εsub和ρsub。衬底上覆盖一层厚度为tox的介质层，其介电常数为εox。

本节设计了13款不同几何参数的石墨烯片上螺旋电感，分组对比用以研究4项几何参数对等效串联电感值Ls和品质因数Q的影响。这些电感的厚度t均为1μm，建立在电阻率为10Ω·cm、厚度为500μm的高阻硅上，介质层为二氧化硅，厚度为90nm［18］。为了与石墨烯电感进行对比，同时设计了9款基于0.18μm标准CMOS工艺的片上螺旋电感，用于研究各个几何参数对电感的Q值与电感值Ls的影响［19］。

图2.51　片上螺旋电感平面和立体结构示意图