2.2　TSV工艺流程概述

根据具体应用，TSV有多种集成方案，除了TSV制造本身，还涉及上下面配套互连层、电路层的加工方案及加工次序。根据TSV制造及堆叠集成的具体方案选择，图2-2列出了众多TSV堆叠集成方案［41］。每种集成方案对应具体的工艺流程，包括TSV制造、减薄、堆叠等具体工艺选择和加工次序。如果仅考虑TSV的制造顺序，那么可以将TSV集成方案分为先通孔（Via-first）、中通孔（Via-middle）和后通孔（Via-last）三种主要类型。Via-first是指TSV在硅衬底上最先加工，然后加工电路器件、互连等，目前主要指TSV中介层的制造，在TSV制造之后，不再加工有源器件，直接加工互连层；Via-middle一般是指TSV在芯片加工之后在后道互连加工之前加工，是目前集成电路工厂主要采用的方案，目前很多机构将TSV中介层的加工也归为Via-middle类型；Via-last是指TSV在集成电路工厂所有工艺完成之后加工，可以由圆片级封装工厂独立完成，是目前TSV产业化最成熟的方案之一。

图2-2　TSV堆叠集成方案