晶体生长的物理基础
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五、直拉法生长中晶体旋转对溶质分凝的影响[5]

溶液中自然对流和强迫对流对晶体生长过程中溶质分凝的影响,可以归结为对流对溶质边界层的影响。自然对流(决定于溶液中的温度梯度场)和强迫对流(决定于搅拌形式)分别以不同的方式影响溶质边界层的厚度δ。总之具体问题必须具体分析,不过分析这类问题是十分复杂的。我们这里仅分析晶体旋转对溶质分凝的影响。

晶体旋转对流体的速度场和浓度场的影响,我们将在第三章讨论。我们这里先引用该分析中所获得的一个结果。如果固液界面为平面,且不考虑晶体边缘的影响,若ω为晶体转速,ν为流体的运动黏滞系数,坐标z指向流体内部,其原点在固液界面中心,则在固液界面附近,即,流体的轴向速度分量vz的近似表达式为(详见第三章(3-74)式)

由式(2-25)可知,流体的轴向速度分量vz不是r,φ的函数,这就使我们有理由将本问题简化为一维问题。

据(2-8)式,在实验室坐标系中,一维传输方程为

而在运动坐标系中有

将式(2-25)代入,有

其边值条件为

求微分方程(2-26)的解析解是比较困难的,伯顿等通过数值计算得到了溶质边界层的厚度δ关于晶体转速ω的关系为[5]

其中D为溶质在溶液中的扩散系数,ν为溶液的运动黏滞系数,ω为晶体的转速。上式较一般的推导见第三章的(3-88)式。

我们将式(2-27)与式(2-24)联系起来,就能看出工艺参量vω以及溶液系统的物性参量k0Dν是如何影响晶体生长过程中的溶质分凝的。

至于自然对流对溶质分凝的影响,必须视其对溶质边界层的厚度δ的影响如何。然而对直拉法生长系统来说表征自然对流的参量与δ间的确切关系尚未建立,因而尚无法作出定量的分析。