晶体生长的物理基础
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第六节 晶体生长过程中直径的惯性和直径响应方程

一、直径的惯性

由牛顿第二定律可知,同样大小的力作用于不同的物体,所产生的加速度决定于物体的惯性质量,惯性质量愈大,产生的加速度愈小。对一单晶炉来说,功率起伏(以单位时间热量的起伏表示)将引起温度起伏ΔT,其间的关系是:Q=CΔT,其中C为单晶炉的热容量。经验表明,同样的功率起伏对不同的炉子将引起不同的温度起伏,热容量C愈大,温度起伏愈小。因此我们将热容量称为热惯性。我们又知道,晶体生长过程中温度起伏ΔT将引起晶体直径的起伏Δd,其间的关系亦可表示为:ΔT=C*Δd。同样的温度起伏对不同的生长系统将引起不同的直径起伏,显然,C*愈大,直径起伏Δd愈小。于是我们将C*称为晶体直径的惯性(diameter inertia of growing crystals)。

生长过程中不同的工艺阶段对直径惯性C*的要求不同。等径生长阶段,我们希望直径的惯性C*越大越好。因为直径的惯性越大,同样的温度起伏引起直径的变化越小。但是在放肩和收尾阶段,却不希望直径的惯性太大,否则欲改变直径时,就会感到生长系统太“迟钝”了。

直径的惯性反映了生长系统的综合性能。与所生长晶体的类别和尺寸、环境气氛的类别和温度以及生长时的工艺参量有关。

为了阐明直径的惯性C*的意义,我们将进一步导出直径的响应方程。