附录B
（资料性附录）
典型工艺设备数据采集
B.1 典型工艺流程（见图 B.1）
图 B.1 典型工艺流程
B.2 典型生产设备数据采集
B.2.1 PECVD
PECVD 为淀积工艺过程的设备，生产过程中需要采集的参数包括：
—— 工艺开始时间；
—— 真空预抽时间（h）；
—— 恒温度（℃） ；
—— 恒温度时间（h）；
—— 刻蚀清洗时间（min） ；
—— 已淀积厚度（μm）；
—— 预淀积厚度（μm） ；
—— 折射率验证；
—— 工艺结束时间。
B.2.2 光刻机
光刻机为光刻工艺过程的设备，生产过程中需要采集的参数包括：
—— 工艺开始时间；
—— 烘烤时间（min）；
—— 坚膜温度（℃）；
—— 坚膜时间（min）；
—— 打胶功率（W）；
—— 打胶时间（s）；
—— 打胶尺寸（μm） ；
—— 腐蚀配置时间；
—— 腐蚀恒温时间（min） ；
—— 一次腐蚀腐前坚膜温度（℃） ；
—— 一次腐蚀腐前坚膜时间（min）；
—— 一次腐蚀时间（s）；
—— 二次腐蚀腐前坚膜温度（℃）；
—— 二次腐蚀腐前坚膜时间（min）；
—— 二次腐蚀时间（s）；
—— 总腐蚀时间（s）；
—— 腐蚀次数；
—— 去胶温度（℃）；
—— 去胶浸泡时间（min）；
—— 去胶冲水时间（min）；
—— 工艺结束时间。
B.2.3 涂胶机
涂胶机为光刻工艺过程的设备，生产过程中需要采集的参数包括：
—— 匀胶转速（rpm）；
—— 涂胶转速（rpm）；
—— 前烘温度（℃） 。
B.2.4 显影机
显影机为光刻工艺过程的设备，生产过程中需要采集的参数包括：
—— 曝光方式；
—— 曝光光强（mW/cm2）；
—— 曝光时间（s）；
—— 显影方式；
—— 显影转速（rpm）；
—— 显影时间（s）；
—— 冲水时间（s） ；
—— 冲水转速（rpm）；
—— 甩干时间（s）。
B.2.5 封管真空机组
封管真空机组为扩散工艺过程的设备，生产过程中需要采集的参数包括：
—— 工艺开始时间；
—— 晶片水冲洗时间（min）；
—— 晶片烘干时间（min）；
—— 晶片烘烤时间（min） ；
—— 晶片封前存放时间（min）；
—— 封管机预抽真空（Pa）；
—— 预抽时间（min）；
—— 扩散炉恒温时间（min）；
—— 石英管长度（cm）；
—— 打胶尺寸（μm）；
—— 抽真空时间（min）；
—— 封管真空度（Pa）；
—— 扩散源量（mg）；
—— 扩散温度（℃）；
—— 扩散时间（min） ；
—— 晶片扩散后水洗时间（min）；
—— 晶片扩散后烘干时间（min）；
—— 工艺结束时间。
B.2.6 蒸发台
蒸发台为蒸发工艺过程的设备，生产过程中需要采集的参数包括：
—— 工艺开始时间；
—— 晶片水冲洗时间（min）；
—— 晶片烘干时间（min） ；
—— 预抽真空时间（min）；
—— 真空度；
—— 晶振寿命；
—— 衬底加热真空度（Pa）；
—— 衬底加热温度（℃）；
—— 衬底加热电流（mA）；
—— 衬底加热时间（min）；
—— 衬底加热速率（Å/s）；
—— 衬底加热显示厚度（kÅ）；
—— A 蒸发真空度（Pa）；
—— A 蒸发温度（℃）；
—— A 蒸发电流（mA）；
—— A 蒸发时间（min）；
—— A 蒸发速率（Å/s）；
—— A 蒸发显示厚度（kÅ）；
—— B 蒸发真空度（Pa）；
—— B 蒸发温度（℃）；
—— B 蒸发电流（mA）；
—— B 蒸发时间（min）；
—— B 蒸发速率（Å/s）；
—— B 蒸发显示厚度（kÅ）；
—— 工艺结束时间。
B.2.7 减薄机
减薄机为减薄工艺过程的设备，生产过程中需要采集的参数包括：
—— 工艺开始时间；
—— 压力（Pa）；
—— 转速（rpm）；
—— 滴速；
—— 摆幅；
—— 晶片平整度（μm）；
—— 晶片厚度（μm）；
—— 工艺结束时间。
B.2.8 粘片机
粘片机为减薄工艺过程的设备，生产过程中需要采集的参数包括：
—— 工艺开始时间；
—— A 温度（℃）；
—— 浸润温度（℃）；
—— 浸润时间（min）；
—— B 压力（bar）；
—— 粘接温度（℃）；
—— 粘接时间（min）；
—— 真空度（mbar）；
—— 粘片平整度（μm） ；
—— 初始厚度（μm）；
—— 粘片厚度（μm）。
B.2.9 合金炉
合金炉为合金工艺过程的设备，生产过程中需要采集的参数包括：
—— 工艺开始时间；
—— 氮气流量（L/min）；
—— 排气时间（min）；
—— 升温时间（min）；
—— 合金温度（℃）；
—— 合金时间（s）；
—— 工艺结束时间。
B.2.10 划片解理机
划片解理机为划片工艺过程的设备，生产过程中需要采集的参数包括：
—— 工艺开始时间；
—— 金刚刀已使用时间（片次）；
—— 滚轮已使用时间（片次）；
—— 金刚刀压力（psi）；
—— 滚轮压力（psi）；
—— 划痕宽度（μm）；
—— 设置步进（μm）；
—— 工艺结束时间。
B.2.11 晶片扩张机
晶片扩张机为划片工艺过程的设备，生产过程中需要采集的参数包括：
—— 扩片温度（℃）；
—— 扩片间距（μm）。
B.2.12 清洗台
清洗台为剥离工艺过程的设备，生产过程中需要采集的参数包括：
—— 工艺开始时间；
—— 实际剔除边缘管芯排数圆弧边（排）；
—— 实际剔除边缘管芯排数直边（排）；
—— 工艺结束时间。
B.3 典型检测设备数据采集
B.3.1 淀积工艺检测
淀积工艺过程自检参数包括：
—— 表面颗粒；
—— 折射率；
—— 淀积厚度（μm）。
B.3.2 光刻工艺检测
光刻工艺过程自检参数包括：
—— 表面颗粒；
—— 接触环宽（μm）；
—— 环线宽（μm）。
B.3.3 扩散工艺检测
扩散工艺过程自检参数包括：
—— 击穿电压 VB（V）；
—— 暗电流 ID（nA）。
B.3.4 蒸发工艺检测
蒸发工艺过程自检参数包括：
—— A 厚度（Å）；
—— B 厚度（μm）。
B.3.5 减薄工艺检测
减薄工艺过程自检参数包括：
—— 晶片厚度（μm）。
B.3.6 合金工艺检测
合金工艺过程自检参数包括：
—— 正向压降 VF（V）；
—— 暗电流 ID（A）。