第1章　概论

第三代半导体材料在大功率、高温、高频、抗辐射的微电子领域，以及短波长光电子领域，有明显优于硅（Si）、锗（Ge）、砷化镓（GaAs）等第一代和第二代半导体材料的性能。第三代半导体材料正在抢占下一代信息技术、节能减排技术及国防安全技术的战略制高点，是战略性新兴产业的重要组成部分。第三代半导体包含了几个不同的半导体材料体系，本书分别从Ⅲ族氮化物半导体材料、碳化硅（SiC）半导体材料、宽禁带氧化物半导体材料及半导体金刚石薄膜材料等材料体系入手，着重论述这些代表性材料体系的背景及战略意义，以及在国民经济和国防建设重大工程和项目中的地位和作用、技术基础、产业现状、最新研究成果、发展前景及主要的技术挑战和应对策略。