1　绪论

1.1　概述

钒的价电子构型为（n-1）d3ns2，5个电子都可参加成键，稳定态为V5+，此外，还能形成V4+、V3+、V2+低氧化态的化合物。氧化钒包括：V2O5、VO2、V2O3、VO［1］。不同价态的氧化钒呈现出不同的光学与电学性质。1959年Morin发现VO2具有金属相与半导体相转变的特性［2］，并且在相变的同时，伴随着光学与电学特性的突变，低于相变温度时，VO2对红外线有高的透过率；高于相变温度时，VO2对红外线有高的反射率。VO2的相变温度是341K，是一种在许多领域有广阔应用前景的热敏材料，国内外对VO2展开了不断地研究。氧化钒中最稳定的是V2O5，对其他低价氧化物进行研究与应用，首先面临的是低价钒氧化物的制备问题。由于低价钒氧化物的形成条件很接近，从而使制备纯的低价钒氧化物十分困难。