5.2 吸收电路的类型
有关吸收电路的文献繁多,所开发的吸收电路种类也很多。它的分类如下:
①关断、开通吸收电路,组合(关断和开通)吸收电路;
②线性/非线性吸收电路;
③有源、无源吸收电路;
④有损(耗)、无损(或低损)吸收电路;
⑤有极性/无极性吸收电路。
关于①的说明如下:由于在关断时,主要问题是开关器件承受过高的电压尖峰,而开通时可能电流峰值太大,因此,为了避免关断和开通过程中的器件损坏问题,针对关断和开通两种情况,采用不同的吸收电路方案,分别称为关断吸收电路和开通吸收电路。也可以将二者组合起来,既解决关断时的器件过电压问题,也可避免开通时器件di/dt过高产生的不良后果。②~⑤容易理解,不再赘述。
下面以Buck变换器为例,重点讨论最基本、最简单的关断、开通两类无源吸收电路的基本工作原理,进一步介绍有极性组合吸收电路和LC无损吸收电路工作原理。
5.2.1 关断吸收电路(turn-off snubber)
1.并联电容
最简单的关断吸收电路是在开关器件两端并联一电容Cs,见图5.6(a),以限制开关器件关断过程中的电压上升速度dvV/dt=Idc/Cs,开关器件关断前的电流为Idc。Cs越大,器件电压vV(t)上升速度越慢,开关功耗也越小。图5.6(b)、(c)分别给出了关断过程的vV(t)、iV(t)及p(t)。
2.有极性关断吸收电路——RCD网络
图5.6(a)所示的关断吸收电路,在功率晶体管上并联电容,当晶体管导通时,Cs对开关器件放电,有可能损坏该器件。为避免这种情况,实用的关断吸收电路是RCD网络。由于其中包含二极管,故称为“有极性”的吸收电路(polarized snubber)。图5.7所示为有极性关断吸收电路——RCD网络在Buck变换器中的应用,它与开关器件并联。
图5.7 Buck变换器RCD关断吸收电路
RCD网络的组成是将电阻Rs和二极管VDs并联后,再与电容Cs串联。Rs的作用是在开关器件开通时,限制Cs放电电流,并将能最转移。VDs的作用是在开关器件关断时,使Cs可以经过VDs充电,而Rs则被VDs短路。
5.2.2 开通吸收电路(turn-on snubber)
1.开通和关断吸收电路的对偶关系
由电路的对偶原理,很容易得到开通吸收电路和关断吸收电路间的对偶关系,见表5.1。
表5.1 吸收电路的对偶关系
2.串联电感
最简单的开通吸收电路为电感Ls与开关器件串联,如图5.8(a)所示。图5.8(b)、(c)分别给出了开通过程的vV(t)、iV(t)及p(t)。与图5.4(c)、(d)比较可见,加串联电感后,限制了开关器件电流上升速度diV/dt=Vdc/Ls,同时也可减小开关功耗,见图5.8(b)。
图5.8 Buck变换器开通吸收电路(串联电感)
3.有极性开通吸收电路——RLD网络
由表5.1可见,和并联RCD网络相对偶的是串联RLD网络,这一网络就是有极性开通吸收电路。RLD网络的组成是电感Ls并联一个Rs-VDs串联支路,如图5.9所示。
图5.9 Buck变换器RLD开通吸收电路
Rs-VDs串联支路的作用是,当开关器件关断时,电感Ls储存的能量通过Rs-VDs串联支路释放,而不致使开关器件因电压过高而损坏。
5.2.3 组合吸收电路
为了既能解决关断时的器件过电压问题,又能避免开通时di/dt过高产生的不良后果,要用开通、关断两个吸收电路。可以将这两种吸收电路组合起来,称为组合吸收电路,有两个不同的组合方案,即并联RCD、串联Ls及串联RLD、并联Cs。
1.组合方案一(并联RCD、串联Ls)
图5.10(a)给出了组合方案一应用于Buck变换器的等效电路图,其中的并联RCD网络属于关断吸收电路,串联电感Ls属于开通吸收电路。当开通时,电路的工作类似于图5.8所示的仅串联电感Ls的开通吸收电路。不同的是,开关管电流还包括Cs的放电电流。但在开关管关断时,电路的工作原理完全不同于图5.7所示的并联RCD关断吸收电路。图5.10(b)给出了并联RCD网络、串联Ls后,开关器件关断过程的电压、电流波形图。
图5.l0(a)所示电路中,开关器件的关断过程可分为四个阶段,图5.10(c)给出了这四个阶段的等效电路。分析如下:
t=0,vC(0)=0,iV(0)=Idc,vV(0)=0;
t=tf,iV(tf)=0;
t=t1,vV(t1)=Vdc,iL(t1)=Idc;
t=t2,iL(t2)=0。
图5.10 Buck变换器中的组合吸收电路(并联RCD、串联Ls)
(1)0<t<tf,电流iQ下降阶段
vC(0)=0,iV下降,vV上升,iL=Idc,VD关断,Ls和输出滤波电感Lf等效为恒流源;VDs导通,Cs和V直接并联,V等效为电流源iV(注意:iV在减少)。
(2)tf<t<t1,电容Cs恒流充电阶段
vC(tf)<Vdc,iV=0,电路等效为Cs和电流源Idc串联,电流源Idc对Cs恒流充电,vC=vV。
(3)t1<t<t2,LC串联谐振阶段
vC(t1)=Vdc,vV>Vdc,VD导通,iL下降,Ls-Cs谐振,vV振荡上升。
(4)t>t2,衰减振荡阶段
iL(t2)=0,过零后继续谐振下降,Cs对Rs放电,VDs截止,
Rs-Ls-Cs串联谐振,vV(t)=vC+vR。vV由Vdc+ΔvV谐振下降到Vdc,iL从负值谐振到零。
由上式可见,吸收电路参数Cs、Ls的选择对关断电压的尖峰大小有较大影响。
组合吸收电路每开通和关断一次,其储能元件Ls和Cs中的能量将释放在电阻Rs上消耗掉功耗的计算公式为ps=(CsV2dc+LsI2dc)/(fs/2)。
例如,开关变换器开关频率fs=20kHz,输入电压Vdc=400V,输出电流Idc=50A,Ls=1.2μH,Cs=0.066μF,代入上式计算可得ps=130W。
2.组合方案二(串联RLD、并联Cs)
图5.11(a)给出了组合方案二应串联RLD、并联Cs,RLD网络(和开关器件串联)属于开通吸收电路,并联电容Cs属于关断吸收电路。图5.11(b)给出了开关器件开通时的电压、电流波形图。
图5.11 Buck变换器中的组合吸收电路(串联RLD、并联Cs)
串联RLD网络、并联Cs和并联RCD网络、串联Ls是相互对偶的。根据对偶原理,人们从并联RCD网络、串联Ls的工作原理不难理解串联RLD网络、并联Cs的基本原理。所不同的是:对于串联RLD网络、并联Cs,在分析vC(t)时,要考虑Ls在Rs上的能耗。
5.2.4 LC吸收电路
前面提到的组合吸收电路中有电阻,能量消耗较大,这一附加的能耗对开关变换器的效率、散热都是很不利的。如能将这部分能量反馈回电源或送入负载,进行有效利用,将提高开关变换器的整体效率。为此,人们研究出图5.12(a)所示的LCD无损吸收电路。
LCD吸收电路又称能量回馈(energy recov-ery)电路,仅由L、C、D组成,以便电路中的能量或回馈到电源或送入负载,改善了开关变换器散热条件,并提高了效率。
LCD吸收电路的工作原理可分析如下(假设C1=C2):
图5.12(b)、(c)给出了开关过程中的电压、电流波形图。开关器件导通时,电源Vdc供给负载电流和电容C1、C2的充电电流;开关器件关断时,负载电流经过二极管VD1、VD2,使C1、C2放电,电容储能送到负载。
设t<0,V处于导通状态,并且C1、C2已充电到Vdc。
开关器件关断时,iV下降,vV上升,直到t=tf时,iV(tf)=0,vV(tf)<Vdc。C1-VD1、C2-VD2支路(经过电源Vdc)并联于V,这时相当于“并联电容C的关断吸收电路”(C=C1+C2)。VD3反偏,iL=0,C1、C2放电,vC1、vC2逐渐降到零。
图5.12 Buck变换器LCD吸收电路
当V再次开通时,iV上升,vV保持为Vdc,iV达到Idc时,开关二极管VD反偏,vV在很短时间内快速降到零。近似可看作有一个阶跃电压Vdc加到C2-VD3-L-C1串联支路上,VD3导通,电路谐振,iV及iL按二阶振荡(ringing)变化,谐振半周期后iV稳定在Idc,vC1=vC2=Vdc,当iL过零变负时,VD3又反偏。
由于上述吸收电路没有功耗,故称为无源无损(passiveloss-less)吸收电路。又由于电路中有二极管VD1、VD2、VD3等非线性元件,所以它属于非线性吸收电路。
5.2.5 吸收电路和开关过程的“软化”
由图5.5可见,无源无损或有源无损(active loss-less)吸收电路的作用使开关轨迹iV-vV向坐标轴靠近,从而大大减少了开关损耗。可以说,吸收电路“软化”了开关轨迹或“软化”了开关过程。如果能设计出一种吸收电路,使图5.5所示的开关轨迹iV-vV沿坐标轴变化(或逼近坐标轴),则开关损耗接近于零或很小,有如零开关(ZVS/ZCS)变换器。如果使变换器实现零开关,是一种传统意义的软开关技术,则用吸收电路使开关过程软化的技术可称为广义(generalized)软开关技术。图5.13给出了硬开关、零开关、广义软开关三种开关过程,显示出开关器件电压vdc和电流idc波形在不同开关过程中的交叠(over-lap)情况。
图5.13 开关过程中开关器件电压v和电流i波形
(1)PWM硬开关过程
由图5.13(a)可见,电压v和电流i在开关过程中的交叠部分最多,这也是硬开关过程中开关损耗最大的原因。
(2)零开关过程(zero voltage/current switching)
电压v和电流i没有交叠,开关损耗为零。电压下降到零后开通,电流才上升(即零电压开通ZVS),或电流下降到零后关断,电压才上升(即零电流关断ZCS),称为ZVS/ZCS软开关。
(3)广义软开关(generalized soft switching)过程
无源/有源“无损”吸收网络,具有“软化”开关过程、降低dv/dt,di/dt、降低电流/电压变化斜率的功能,使电压v和电流i在开关过程中的交叠部分较小,大幅度降低了开关损耗,吸收网络本身的损耗非常小,可称为“低损软开关”。
有源/无损吸收电路中,除包含L、C、VD元件外,还包含有源器件——辅助开关管。这种情况下,有源无损吸收电路与ZVS/ZCS软开关电路就不易严格区分。实际上,某些ZVS/ZCS软开关技术,就是一种典型的有源无损吸收技术。
图5.14所示为DC-DC双管正激变换器应用有源无损吸收电路实现软开关的例子。吸收电路的组成为:辅助MOS功率管S3,吸收电感L,吸收电容C1、C2,以及二极管VD1、VD2。其原理可简述如下:设主开关管S1、S2(IGBT)以及辅助管S3同时开通。回路中的L限制了S1、S2开通电流的上升斜率,使开通损耗减小。令S1先关断,变压器电流使C2充电,已知电容电压不能跃变,因而S1电压上升斜率受到限制,使其关断损耗减小。令S3先于S2关断,当S2关断时,变压器电流使C1充电,和S1关断情况相同,关断损耗减小了。
图5.14 DC-DC双管正激变换器应用有源无损吸收电路实现软开关
变压器磁场能量和L储能反馈回电网,S3可实现ZV开通和关断,S1、S2不是ZV开通的,也非ZC关断。但所用的有源无损吸收电路确实有效地“软化”了开关过程。
图5.15为图5.14所示电路的仿真结果,给出主开关管的关断电压上升斜率与吸收电容值的关系,虚线表示关断损耗。可见“软化”后,吸收电容改变了关断电压上升斜率和关断损耗。吸收电容值越大,则关断电压上升斜率越小,关断损耗也越小。IGBT关断时,关断电流有明显的拖尾现象,不采取软化措施,关断损耗将更大。
图5.15 图5.14所示电路的仿真结果(主开关管关断电压上升斜率、关断损耗)
值得一提的是,吸收电路可以抑制电力电子系统中开关器件的浪涌电压或电流,使电路中储能被利用或反馈到电网,从而将器件电压钳定于某一范围内。根据这一钳位作用原理,20世纪80年代初,有人提出有源钳位变换器。有的文献就从钳位功能角度来分析软开关技术的发展。这些问题已超越了吸收电路的基本原理,将在以后进一步阐述。