更新时间：2023-01-30 19:34:21
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第3届电力电子新技术系列图书编辑委员会
电力电子新技术系列图书序言
序
前言
第1章 功率半导体器件基础
1.1 Si功率器件
1.1.1 Si功率二极管
1.1.2 Si功率MOSFET
1.1.3 Si IGBT
1.2 SiC功率器件
1.2.1 SiC半导体材料特性
1.2.2 SiC功率器件发展现状
参考文献
延伸阅读
第2章 SiC MOSFET参数的解读、测试及应用
2.1 最大值
2.1.1 击穿电压
2.1.2 热阻抗
2.1.3 最大耗散功率和最大漏极电流
2.1.4 安全工作域
2.2 静态特性
2.2.1 传递特性和阈值电压
2.2.2 输出特性和导通电阻
2.2.3 体二极管和第三象限导通特性
2.3 动态特性
2.3.1 结电容
2.3.2 开关特性
2.3.3 栅电荷
2.4 参数测试
2.4.1 I-V特性测试
2.4.2 结电容测试
2.4.3 栅电荷测试
2.4.4 测试设备
2.5 FOM值
2.6 器件建模与仿真
2.7 器件损耗计算
2.7.1 损耗计算方法
2.7.2 仿真软件
第3章 双脉冲测试技术
3.1 功率变换器换流模式
3.2 双脉冲测试基础
3.2.1 双脉冲测试原理
3.2.2 双脉冲测试参数设定
3.2.3 双脉冲测试平台
3.3 测量挑战
3.3.1 示波器
3.3.2 电压探头
3.3.3 电流传感器
3.3.4 时间偏移
3.3.5 寄生参数
3.4 双脉冲测试设备
第4章 SiC器件与Si器件特性对比
4.1 SiC MOSFET和Si SJ-MOSFET
4.1.1 静态特性
4.1.2 动态特性
4.2 SiC MOSFET和Si IGBT
4.2.1 传递特性
4.2.2 输出特性
4.2.3 动态特性
4.2.4 短路特性
4.3 SiC二极管和Si二极管
4.3.1 导通特性
4.3.2 反向恢复特性
第5章 高di/dt的影响与应对——关断电压过冲
5.1 关断电压过冲的影响因素
5.2 应对措施1——回路电感控制
5.2.1 回路电感与局部电感
5.2.2 PCB线路电感
5.2.3 器件封装电感
5.3 应对措施2——去耦电容
5.3.1 电容器基本原理
5.3.2 去耦电容基础
5.3.3 小信号模型分析
5.4 应对措施3——降低关断速度
第6章 高dv/dt的影响与应对——crosstalk
6.1 crosstalk基本原理
6.1.1 开通crosstalk
6.1.2 关断crosstalk
6.2 关键影响因素
6.2.1 等效电路分析
6.2.2 实验测试方案与结果
6.3 应对措施1——米勒钳位
6.3.1 晶体管型米勒钳位
6.3.2 IC集成有源米勒钳位
6.4 应对措施2——驱动回路电感控制
6.4.1 驱动回路电感对米勒钳位的影响
6.4.2 封装集成
第7章 高dv/dt的影响与应对——共模电流
7.1 信号通路共模电流
