更新时间：2019-11-29 19:22:10
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献辞
专家推荐
写作缘由与编写过程
致谢
第1章 引言
1.1 崛起的CMOS工艺制程技术
1.2 特殊工艺制程技术
1.3 MOS集成电路的发展历史
1.4 MOS器件的发展和面临的挑战
参考文献
第2章 先进工艺制程技术
2.1 应变硅工艺技术
2.2 HKMG工艺技术
2.3 SOI工艺技术
2.4 FinFET和UTB-SOI工艺技术
第3章 工艺集成
3.1 隔离技术
3.2 硬掩膜版（Hard Mask）工艺技术
3.3 漏致势垒降低效应和沟道离子注入
3.4 热载流子注入效应与轻掺杂漏（LDD）工艺技术
3.5 金属硅化物技术
3.6 静电放电离子注入技术
3.7 金属互连技术
第4章 工艺制程整合
4.1 亚微米CMOS前段工艺制程技术流程
4.2 亚微米CMOS后段工艺制程技术流程
4.3 深亚微米CMOS前段工艺技术流程
4.4 深亚微米CMOS后段工艺技术
4.5 纳米CMOS前段工艺技术流程
4.6 纳米CMOS后段工艺技术流程
第5章 晶圆接受测试（WAT）
5.1 WAT概述
5.2 MOS参数的测试条件
5.3 栅氧化层参数的测试条件
5.4 寄生MOS参数的测试条件
5.5 pn结参数的测试条件
5.6 方块电阻的测试条件
5.7 接触电阻的测试条件
5.8 隔离的测试条件
5.9 电容的测试条件
后记
缩略语
